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石墨烯在常温下在SiO2衬底上其电子迁移率超过15000cm2/V·s,比硅晶体高1个数量级,极有可能用于切换速度更快的新一代电子元件.但是纯石墨烯本身是零能隙的半导体,不能直接作为高效的室温场效应晶体管.
石墨烯和硅烯能带调控的新方案
【摘 要】
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石墨烯在常温下在SiO2衬底上其电子迁移率超过15000cm2/V·s,比硅晶体高1个数量级,极有可能用于切换速度更快的新一代电子元件.但是纯石墨烯本身是零能隙的半导体,不能直接作
【机 构】
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北京大学物理学院 100871
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年期
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