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介绍制作光刻掩模的一种新方法,即用光致抗蚀剂膜层直接作为掩蔽层来制作光刻掩模.其基本原理是利用光致抗蚀剂对不同波长入射光的透过率不同的特性,选用对曝光波长透过率低的光致抗蚀剂直接制作掩模.其制作方法是用普通匀胶机将选用的光致抗蚀剂按一定厚度均匀涂敷在透明基片上,再经曝光、显影等工艺制成有图形的光刻掩模.采用这种方法实际制作了KrF准分子激光光刻用的光致抗蚀剂二元掩模和衰减相移掩模,并把它们用于缩小投影光刻实验,做出了满意的实验结果.