【摘 要】
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过渡金属氧化物界面由于常存在元素成分的变化、晶格应变、轨道耦合和位错等不同于体材料的微观结构和电子特性,因此表现出一些新奇的结构和特性比如:金属-绝缘体相变,反常磁
【机 构】
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西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室&国际电介质研究中心,陕西西安710049西安交通大学前沿科学与技术研究院,陕西西安710049
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过渡金属氧化物界面由于常存在元素成分的变化、晶格应变、轨道耦合和位错等不同于体材料的微观结构和电子特性,因此表现出一些新奇的结构和特性比如:金属-绝缘体相变,反常磁阻效应、能带工程以及更长寿命的光生电子空穴对等.由于微机电系统(MEMS)方向的应用需求,无铅压电薄膜材料K0.5Na0.5NbO3 (KNN)成为研究热点之一.且界面为薄膜生长的初始阶段对薄膜随后的生长和薄膜性能有重要影响.本工作中,用高分辨扫描透射电子显微镜(STEM)研究了KNN与SrTiO3(STO)单晶基底外延界面的微结构.
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