IGBT器件的失效机理及可靠性研究

来源 :2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tbtbtb5518232
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  介绍了IGBT器件的特性,对其应用领域进行了详细描述。参照IEC60747-9绝缘栅双极晶体管等标准,给出了IGBT器件环境试验的技术方案,间隙工作寿命试验主要是考核芯片的电连接特性,高温反偏试验主要是在最大结温下验证PN结反向击穿特性。高温栅偏试验主要是在最大结温下加速验证栅氧经时击穿特性,即验证栅氧质量。详细介绍了IGBT器件的可靠性影响因素,这些因素分别是门锁效应、雪崩耐量、短路能力和温度系数。
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