【摘 要】
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当前，随着电子元器件制造技术的飞速发展,特别是元器件的小型化和集成电路的集成度不断提高,采用O.15mm～0.25衄制造工艺的CMOS器件被广泛使用。其耐击穿电压通常在50 V～100 V之
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当前，随着电子元器件制造技术的飞速发展,特别是元器件的小型化和集成电路的集成度不断提高,采用O.15mm～0.25衄制造工艺的CMOS器件被广泛使用。其耐击穿电压通常在50 V～100 V之间,有着更高集成度的超高速、高频IC器件,对静电更为敏感。有的VMOS器件耐压只有30 V,这就给含有上述静电敏感器件产品的生产制造过程,提出了更严格的静电防护要求。本文介绍了防静电的方法，浅谈了防静电胶带在SMT接料工艺的应用效果。
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