氧化对Ni/n-AlGaN透明电极肖特基接触的影响

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hqc12322967

【摘要】

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在蓝宝石(0001)衬底上,用金属有机气相沉积(MOCVD)方法外延生长AlGaN样品,溅射10nmNi作为透明的肖特基接触,研究了在氧气氛下低温退火对电极透明性和肖特基结的影响.结果表明

【作者】

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桑立雯;岑龙斌;陈志忠;杨志坚;秦志新;张国义;

【机构】

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北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院,北京,100871

【出处】

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

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2006年期

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在蓝宝石(0001)衬底上,用金属有机气相沉积(MOCVD)方法外延生长AlGaN样品,溅射10nmNi作为透明的肖特基接触,研究了在氧气氛下低温退火对电极透明性和肖特基结的影响.结果表明,由于Ni表面形成的一层薄的NiO,在光波长为314 nm时电极的透明度比纯金属Ni的透明度提高35.5％.同时,低温退火使得理想因子从2.03减小到1.3,肖特基势垒高度从0.77eV提高到0.954eV.这种方法可以应用于制作高透明性的肖特基型紫外探测器.

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