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该文报道了常压MOCVD生长的Zn〈,0.7〉Cd〈,0.3〉Se/ZnSe单量子阱的光学性质和光泵浦受激发射。认为受激发射机理可能是激子局域态的空间填充。在77K脉冲激光泵浦下阈值功率密度为116kW/cm〈’2〉。首次在77K下观测到了n=2的重空穴激发发光峰和n=1的重空穴激子吸收峰。