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SiN薄膜具有卓越的抗氧化性和绝缘性能，同时化学稳定性也很好。因此目前硅太阳电池广泛使用PECVD淀积SiN作为减反射膜，SiN中存在大量的H对硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用。SiN薄膜的厚度和折射率对电池片的效率有很大影响。本文用PECVD系统以硅烷和氮气为气源制备了SiN薄膜，研究了在沉积的过程中，不同工艺条件对电池片性能的影响。