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课题组掌握大面单晶金刚石晶圆生长、电子器件级单晶金刚石薄膜外延生长、掺杂的核心技术,同时掌握设备的制造和研发技术.着重对特色技术-克隆技术进行介绍。目前国内首次实现了英寸级金刚石单晶晶圆的克隆生长,工艺稳定.
第四代宽禁带半导体的发展与展望
【摘 要】
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课题组掌握大面单晶金刚石晶圆生长、电子器件级单晶金刚石薄膜外延生长、掺杂的核心技术,同时掌握设备的制造和研发技术.着重对特色技术-克隆技术进行介绍。目前国内首次实
【机 构】
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西安交通大学宽禁带半导体材料与器件研究中心,陕西西安710049
【出 处】
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粤港澳大湾区真空科技与宽禁带半导体应用高峰论坛暨2017年广东省真空学会学术年会
【发表日期】
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2017年12期
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