【摘 要】
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利用磁控溅射和光刻方法在Si/SiO热氧化硅衬底上制备了双势垒磁性隧道结(DBMTJ),其结构为Ta(5)/NiFe(40)/IrMn(10)/CoFe(4)/Al(1)-oxide/CoFe(8)/Al(1)-oxide/CoFe(4)/IrMn(1
【机 构】
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中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室M02组(北京)
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利用磁控溅射和光刻方法在Si/SiO<,2>热氧化硅衬底上制备了双势垒磁性隧道结(DBMTJ),其结构为Ta(5)/Ni<,79>Fe<,21>(40)/Ir<,22>Mn<,78>(10)/Co<,75>Fe<,25>(4)/Al(1)-oxide/Co<,75>Fe<,25>(8)/Al(1)-oxide/Co<,75>Fe<,25>(4)/Ir<,22>Mn<,78>(10)/Ni<,79>Fe<,21>(30)/Ta(5),每层膜厚单位为纳米.结的尺寸分布在100×100~8×8μm<2>之间.如:对一个尺寸为80×80μm<2>的DBMTJ,观测到其在4.2K和室温下的隧穿磁电阻(TMR)、结面积和结电阻的积矢RS、自由层的反转矫顽力Hc分别为30.0﹪和22.1﹪、32.0和27.5kΩμm<2>、201和141Oe.利用系统能量极小的微磁学计算方法,给出了当隧穿电流通过DBMTJ自由层时诱导而产生的有涡旋特征的磁畴结构.计算结果表明:这些有涡旋特征的磁畴结构的形成,是DBMTJ的TMR比值比理论预期值低的主要原因.
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