双势垒磁性隧道结相关论文
基于CoFeB-MgO的磁性隧道结由于具有极高的TMR比值(室温604％[1])而被人们广泛研究.为了有效提高V1/2(TMR比值下降到最大值的一半时......
电子隧穿是介观输运中的经典案例，其中单势垒隧穿的研究和应用价值已经得到了较为充分的挖掘，而双势垒隧穿还有许多地方值得探索。双......
双势垒磁性隧道结，由于其丰富的物理内涵和在未来自旋电子器件中具有广泛应用前景，已成为自旋电子学领域的重要研究热点之一。本文中......
利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al_O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar......
金属中自旋翻转散射长度远长于电子平均自由程，近来关于自旋翻转散射效应的研究主要集中于扩散区域．文章作者提出了一种使用双势垒磁......
磁性隧道结材料中自旋相关的量子阱态所导致的共振隧穿现象具有很重要的研究和应用价值，文章介绍了最近在Fe（001）／MgO／Fe／MgO／Fe双势垒磁......
