ALD-Al2O3薄膜折射率随厚度的变化研究

来源 :第一届全国椭圆偏振光谱学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jhuihui

【摘要】

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利用原子层沉积(ALD)在硅衬底上制备了不同厚度的的氧化铝(Al2O3)薄膜.原子力显微镜(AFM)的测量结果表明制备的Al2O3 薄膜表面平整,并且均方根粗糙度(RMSroughness)低于1 nm.

【作者】

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王子仪张荣君卢红亮陈鑫张云许骥平陈良尧

【机构】

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复旦大学信息科学与工程学院,上海超精密光学制造工程技术研究中心,上海,200433复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海

【出处】

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第一届全国椭圆偏振光谱学研讨会

【发表日期】

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2014年11期

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利用原子层沉积(ALD)在硅衬底上制备了不同厚度的的氧化铝(Al2O3)薄膜.原子力显微镜(AFM)的测量结果表明制备的Al2O3 薄膜表面平整,并且均方根粗糙度(RMSroughness)低于1 nm.利用椭偏测量并分析1,得到的Al2O3 薄膜折射率随厚度变化情况如图1(a)所示,薄膜的折射率随着厚度的增加而减小,这与有关50 nm 以上厚度的Al2O3 薄膜的报道不符2.在400 ?C氮气氛围下进行快速退火后,Al2O3薄膜的折射率变化趋势回归正常.

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