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Creation of Regional Brand and Role of the Local Government --Regional Branding CaseAnalysis of Wenz
【出 处】
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【发表日期】
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2006年10期
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近年来,由于透明薄膜晶体管具有高迁移率(大于10 cm2/Vs)、低温工艺、能大面积生产、低成本等优点,已经引起了广泛的研究兴趣。而在这众多的透明氧化物半导体中,InGaZnO4因为作为沟道层而具有非常平整的结构、光滑的表面、即使在室温下沉积的非晶薄膜也具有较高的迁移率(大于10 cm2/Vs)而受到广泛的关注。 本文中,我们在玻璃衬底上室温条件下制备了透明InGaZnO4沟道薄膜晶体管。首先,
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碳化硅(SiC)由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性，使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的应用前景。与其它宽禁带半导体相比，SiC最大的优势在于能通过热氧化生成本征氧化物二氧化硅(SiO2)，这使它能在成熟的硅工艺基础上制作基于SiC的MOS(金属/氧化物/半导体)器件。但实际制作的SiC MOS器件沟道迁移率非常低，其中一个主要原因是SiO2/SiC界面较高的
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