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该文报道用超高真空化学气相沉积系统（UHV/CVD）方法，采用锗岛缓冲层技术，在硅衬底上生长锗硅外延层。超高分辨电镜（HRTEM）显示，外延层界面过渡良好，外延层顶部结晶质量优于采用线性渐变缓冲层技术生长的锗硅外延层。
锗岛缓冲层上锗硅外延层生长高分辨电镜（HRTEM）研究
【摘 要】
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该文报道用超高真空化学气相沉积系统（UHV/CVD）方法，采用锗岛缓冲层技术，在硅衬底上生长锗硅外延层。超高分辨电镜（HRTEM）显示，外延层界面过渡良好，外延层顶部结晶质量优于采用线性渐
【机 构】
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大学硅材料重点实验室(杭州)
【出 处】
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第六届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1998年期
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