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石墨烯具有高载流子迁移率和较长的平均自由程,是近年来十分新兴的二维材料,也是有可能替代硅的下一代电子材料之一。利用固态石墨化的方法在SiC 衬底上生长外延石墨烯是常用的石墨烯制备手段之一。然而,SiC 衬底与石墨烯的耦合会降低石墨烯的载流子迁移率,影响其电学性能。金属插层是使石墨烯与衬底去耦的有效方法之一。