论文部分内容阅读
我们发展了缺陷诱导的具有准局域自旋磁矩的内禀磁杂质理论。由于内禀磁杂质的波函数由零模来表示，与其它的巡游电子正交，所以它的性质完全不同于具有自旋磁矩的安德森杂质(见下表)。基于石墨烯材料，我们计算了不同磁杂质之间的RKKY耦合作用、直接交换耦合作用和超交换耦合作用。另外，我们还发展了具有缺陷阵列双子格Hubbard模型的亚铁磁序的理论，并通过具体计算三类典型体系(金属、半金属、绝缘体)的亚铁磁序检验了该理论。