论文部分内容阅读
本文叙述的是在本公司沉铜工序发生的一起令人头痛的批量质量难题——"黑孔"问题.文中对"黑孔"的起因、起点、解决以及整个跟进过程作了详细的介绍.并结合相关资料对"黑孔"的成因作出了分析判断,拟定了相应的预防措施,使"黑孔"问题得以根治.
PHT“黑孔”问题剖析
【摘 要】
：
本文叙述的是在本公司沉铜工序发生的一起令人头痛的批量质量难题——"黑孔"问题.文中对"黑孔"的起因、起点、解决以及整个跟进过程作了详细的介绍.并结合相关资料对"黑孔"的成因作出了分析判断,拟定了相应的预防措施,使"黑孔"问题得以根治.
【机 构】
：
深圳恩达
【出 处】
：
第二届全国青年印制电路学术年会
【发表日期】
：
2002年3期
其他文献
简要介绍了机械-化学剥片法制备超细/纳米高岭石的基本原理和插层剂的种类,利用此法并选用合适的插层剂,可制备不同粒级的高岭石.同时介绍了表征高岭石的方法和仪器.
研究了纳米晶FeB合金颗粒的制备、结构及磁性.实验表明:FeB合金颗粒是由尺寸约为10nm左右的纳米微晶组成的;纳米晶FeB合金的比饱和磁化强度σs随B含量增加而单调下降.通过分析可知,金属间化合物FeB相的出现将对材料的磁性产生不利影响.
以硝酸铝(Al(NO)·9HO)、销酸镁(Mg(NO)·6HO)和正硅酸乙酯(TEOS)原料.将化学计量的硝酸铝和硝酸镁溶液加入到TEOS溶液中,将混合溶液等分为两份,其中一份中加入1℅质量分数的氟化铝(AlF·HO).将各混合溶液加热至40℃,再加入氨水,并不断搅拌,均可获得透明凝胶.将含氟化铝和不含氟化铝的凝胶干燥后在密封容器中直接加热至700～1200℃,保温1h.X射线衍射和透射电镜(TE
本文通过溶胶凝胶方法获得了纳米级锐钛矿,并在随后的煅烧过程中获得得纳米级金红石,同时采用XRD技术测量并计算了点阵参数,对纳米级锐钛矿与金红石的点阵畸变行为及相变机制进行了研究.
以蔗糖(CHO)和硫酸铝(Al(SO))为原料.用碳热还原一氮化法合成了氮化铝偻末.实验发现,AlON是碳热还原一氮化反应的中间相,AlN是由AlON中间相的气相氮化得到的.AlN相在1300℃出现,在1400℃完全形成AlN.采用硫酸铝和蔗糖为原料可以大大降低反应温度,缩短反应时间.
SiN薄膜被广泛应用于微机械和微电子器件中,其热物性在某些器件中显得很重要.为了研究SiN薄膜的热容、辐射、对流等热物性,文中设计出一种悬膜结构,并从理论上分析了此结构的传热机理.实验中利用微机械加工技术制作出不同尺寸和厚度的SiN微尺度悬膜,并通过测试得到了SiN薄膜的热学参数.
将基质玻璃片浸渍在含配合物TiF,F离子捕获剂HBO,及加有结晶诱导剂TiO纳米晶的过饱和水溶液中,在基质上沉积TiO薄膜.在沉积温度35℃和TiF水溶液的浓度为0.1mol·L及反应物TiF和HBO的摩尔比为1:2~4的条件下,能得到透明锐钛矿型TiO的薄膜.膜的厚度随沉积时间的延长而增加,当沉积时间为9h时,膜厚约为260nm.用AFM观察TiO薄膜的形貌,其表面都较均匀平滑.由FTIR光谱图
采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O,在衬底温度为150~400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO:Sb透明导电薄膜,通过测定X射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向.测量了SnO:Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化以及纳米晶SnO薄膜FE-SEM表面及断面形貌.