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应力AlGaN/GaN异质结构中AlGaN势垒层的相对介电常数
应力AlGaN/GaN异质结构中AlGaN势垒层的相对介电常数
来源 :第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ArchrSaber
【摘 要】
:
在应力Al0.3Ga0.7N/GaN异质结构材料上制备了Ni肖特基接触。利用测得的电容-电压曲线和光电流谱,通过自治求解薛定谔方程和泊松方程,分析计算了AlGaN势垒层的相对介电常数。
【作 者】
:
赵建芝
林兆军
吕元杰
张宇
王占国
【机 构】
:
山东大学物理学院,济南 250100
【出 处】
:
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
:
2008年期
【关键词】
:
应力
异质结构材料
势垒层
相对介电常数
薛定谔方程
肖特基接触
分析计算
光电流谱
电压曲线
泊松方程
自治
求解
电容
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在应力Al0.3Ga0.7N/GaN异质结构材料上制备了Ni肖特基接触。利用测得的电容-电压曲线和光电流谱,通过自治求解薛定谔方程和泊松方程,分析计算了AlGaN势垒层的相对介电常数。结果发现我们计算所得的AlGaN势垒层的介电常数不同与之前所报道的结果。
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