异质结构材料相关论文
光电化学生物传感是将光电化学过程与生物分子特异性识别反应相结合而发展起来的一种新兴的传感技术,其检测机制是在光照下,利用生......
以GaN为代表的氮化物半导体由于具有宽禁带宽度、高击穿场强、强极化效应等材料特性,特别是GaN异质结构中极高密度的二维电子气特......
为满足现代社会不断增长的能源需求,人们一直进行不懈的努力以寻求可再生,清洁,经济和环境友好的高效能源用于生产生活之中。光/电化......
本文基于第一性原理计算软件CASTEP和电荷控制模型主要研究由典型铁电材料BaTiO3、半导体材料GaN构成的BaTiO3-GaN异质结构,在理论......
硅基Ge材料是一种重要的硅基异质结构材料,它既是硅基高迁移率材料,同时也是重要的硅基光子学器件用材料,在硅基光电集成中具有重要的......
在应力Al0.3Ga0.7N/GaN异质结构材料上制备了Ni肖特基接触。利用测得的电容-电压曲线和光电流谱,通过自治求解薛定谔方程和泊松方......
多孔黏土异质结构材料(PCHs)是以长链烷基铵为模板剂,以黏土矿物为基体制备的一类柱撑材料。PCHs独特的孔径分布范围弥补了微孔性......
Si元素半导体材料,作为第一代半导体材料,是被广泛研究和应用的最多的元素半导体材料,硅材料器件及超大规模集成电路的制备工艺也是最......
通过静电纺丝和水热法两部法合成出了新奇的纳米异质结构材料,其形成这种结构的影响因素主要有两个方面,首先是纤维质量,其次......
具有A80.结构的钙钛矿锰氧化物REl-x TxMnO3(RE为稀土元素,T为碱土元素)由于其庞大的磁电阻效应和广阔的应用前景,成为十几年来的一......
自由电子激光(FEL)辐照样品前和辐照样品时,使用变温霍尔测量系统测试了这种n型调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构材料中准二维电子气(2......
5月23日上午,泰兴市举行"2011年院士泰兴行"报告会,由中科院院士郑有炓和赵淳生主讲。市委四套班子负责人出席并听取了报告。郑有炓......
专家档案:成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生......
多孔黏土异质结构材料(PCHs)是以长链烷基铵为模板剂,以黏土矿物为基体制备的一类柱撑材料。PCHs独特的孔径分布范围弥补了微孔性柱撑......
为了研究界面约束对异质结构材料屈服和断裂力学性能的影响,采用搅拌摩擦加工方法制备具有过渡型界面的粗晶/超细晶纯铜式样。拉伸......
用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料,采用双台面结构制造了SiGe/SiNPN异质结晶体管,在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的......
采用变磁场霍尔效应方法,在低磁场(B<0.6T)和低温(T=77K)条件下,了HEMT器件用调制掺杂GaAs/AlxCa1-xAs异质结构材料的输运特性,给出了材料电......
为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×10m/cm^2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不......
本文报告了InP系列多薄层异质结构材料变温光致发光谱的正常及异常温度特性;观测到InGaAsP单层单量子阱室温下光致发光峰以却比10K下光致发光峰能......
半导体应变异质结构材料,如量子阱、量子线和量子点等在光电材料与器件中发挥着越来越重要的作用,晶格失配导致的应变对材料生长过程......
O484.5 98042588用Raman光谱分析MBE生长Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>膜的组分及应变=Raman spectral analysis on composition......
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)的研究人员通过优化磁异质结构材料,利用自旋轨道耦合转矩效应及自旋霍尔效应,在新......
介绍了傅立叶变换光萤光谱测试的基本原理;报道了用PL6120设备测得的一些典型的异质结构材料光萤光谱;分析和讨论了光萤光双峰结构,光萤光谱......
本文介绍了影响半导体异质外延晶片质量的主要原因,检测方法,几个典型测试结果。最后给出了几个外延晶片材料质量评估的参照标准。......
介绍应为量子阱材料的稳定性理论--能量平衡模型,报告几个典型的与晶体质量蜕化有关的光荧光谱,计算机几种常用应奕多量子阱结构材料的......
<正>1信息社会的前沿科学领域——硅光子学随着信息科学的深入研究和光通信技术的发展,光的量子传输特性表现得更为明显,光的量子......