【摘 要】
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氧化锆陶瓷材料在半导体领域被广泛的研究。不同于传统烧结制备手段,本文利用微弧氧化方法,在以硅酸盐为主的电解液体系中在Zr-Nb-Sn合金表面生长一层20-50μm厚的氧化锆陶瓷膜。使用扫描电子显微镜(SEM)观测微弧氧化膜的截面与表面形貌,并用X射线衍射(XRD)分析膜层相组成,采用Novocontrol变温介电谱仪研究不同氧化条件下微弧氧化膜层在-100℃~250℃温度范围和10-3Hz~106
【机 构】
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北京师范大学核科学与技术学院,北京 100875;北京市辐射中心,北京 100875 北京师范大学
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氧化锆陶瓷材料在半导体领域被广泛的研究。不同于传统烧结制备手段,本文利用微弧氧化方法,在以硅酸盐为主的电解液体系中在Zr-Nb-Sn合金表面生长一层20-50μm厚的氧化锆陶瓷膜。使用扫描电子显微镜(SEM)观测微弧氧化膜的截面与表面形貌,并用X射线衍射(XRD)分析膜层相组成,采用Novocontrol变温介电谱仪研究不同氧化条件下微弧氧化膜层在-100℃~250℃温度范围和10-3Hz~106Hz频率范围内的介电常数、损耗角正切、电导率等重要指标的变化规律等。结果显示制备的微弧氧化膜层致密,主要由m-ZrO2相组成。介电常数、电导率随着温度的增加增大,随温度上升,开始极化的频率由低频向高频移动,并能观测到损耗角正切峰也向高频移动。
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考虑了任意两个粒子的相互作用,我们得到了长程相互作用复杂系统的内能表达式。基于等概率原理,我们还得到了对应最概然几率分布函数及其他几个重要的统计物理关系。特别需要说明的是,这里得到的几率分布函数和各类不同领域长程相互作用复杂系统发现的几率分布函数一致。另外我们发现长程相互作用复杂系统的性质非常依赖于系统的相互作用系数和粒子数。
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