【摘 要】
：
报告了4H-SiCMESFET单栅器件的研制.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制造出单栅宽150um,栅长0.8umn沟道4H-SiCMESFET,其主要直流特性结果为:在
论文部分内容阅读
报告了4H-SiCMESFET单栅器件的研制.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制造出单栅宽150um,栅长0.8umn沟道4H-SiCMESFET,其主要直流特性结果为:在Vds=30V,vg=0v时,饱和漏电流密度Idss为295m/m,最大跨导Gm为26.5mS/m;微波特性测试结果:在f.=3GHz、Vds=32V时最大输出功率密度1.29W/mm,增益为7.89dB,功率附加效率为24﹪.
其他文献
本文研究了工作在24GHz的谐振式串馈微带贴片线型阵列。和微带天线并馈阵列相比,串联馈电大大减小了馈电网络的损耗和设计复杂度,并提高了天线空间利用率。本文分别设计了四
本文将研究PBG结构在双极化孔径耦合微带天线中的应用.仿真及实验结果表明HIGP和地面腐蚀型两相结合的结构可以改善交叉极化(＞20dB),提高增益,改善隔离度(＜-20dB),对为减小重量
本文提出了一种槽加载方向图可重构微带八木贴片天线.在寄生贴片上刻蚀槽结构,通过安装在槽中的开关改变寄生贴片的功能,实现波束动态扫描.本文设计的天线在9.7～10.0GHz的频段
在3月5日开幕的十一届全国人大二次会议上,国务院总理温家宝在政府工作报告中以较大篇幅对今年政府工作出部署.经济增率、物价涨幅、国际收支、银行信贷、新增投资、城镇新增
湖南省长沙县审计局深入学习和实践科学发展观,加快传统审计向现代审计转型,在工作中坚持突出“五创新”,走出了一条具有长沙县特色的审计之路.
经济责任审计的最终目的是把审计结果运用到领导干部的评价中,用事实、数字,发展说话,即从审“事”人手,以评“人”告终.但实际工作中,普遍存在审计结果.转化难、运用难"的问
采用射频GaAs集成电路的技术,开发GaAsMESFET低功耗电压驱动器电路,电路采用3英寸0.5um栅长GaAs圆片工艺,单路TTL电平输入,输出两路互补的电压信号.高电平0.2V,低电平-4.1V,
本文利用时域有限差分(FDTD)方法研究了一种能减少高速PCB电路中互连线间串扰的模型,得到微带线各个端口S参数的频变特性.通过对S参数的分析,可见该模型能明显减少互连线间的
本文提出了一种新型双极化微带贴片大线的设计方法.在孔径耦合馈电基础上,采用同轴线到微带线垂直过渡的方式,设计了一种新型的双极化天线单元,保持孔径耦合贴片天线固有优点
提出了一种以正方波导-四对极鳍线-微带过渡形式的四路功率合成结构.该结构扩展了标准矩形波导可容纳MMIC单片的数量,理论上可延伸至2×4路功率合成,并有可能缓解波导内功率