漏电流密度相关论文
TiO2/PVDF复合材料具有优异的高介电性能,在高电压和储能绝缘领域有着广泛应用前景.采用有限元法对TiO2/PVDF复合材料体系的结构和......
通过溶胶凝胶-燃烧法制备微米钛酸铜钙(CCTO)颗粒,并对其表面化学镀镍修饰合成CCTO@Ni复合颗粒,分别以此为填充相,以聚偏二氟乙烯(......
期刊
对锗衬底进行NH 3和N 2混合等离子体(V(NH3)∶V(N2)=5∶1)原位预处理,其自然氧化层GeOx反应生成GeOyNz。XPS结果显示,随着预处理时......
本文利用脉冲激光沉积技术在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(001)衬底上生长了BiFe1-xMnxO3(x=0~5%)外延薄膜,研究了Mn掺杂对BiFeO3(BFO......
利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中,Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15%、26%、33%、45%、......
报告了4H-SiCMESFET单栅器件的研制.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制造出单栅宽150um,栅长0.8umn......
分别以淀粉、二氧化硅和三氧化二铝为分散相颗粒,以硅油为母液,制成悬浮液.在低频交变电场下,通过观测悬浮液的表现粘度随电场强度......
该文主要介绍了他们研制的低漏电全耗尽型高阻硅探测器。经过工艺优化,所研制出的硅探测器的反向漏电流密度≤0.5nA/cm〈’2〉/100μm。......
多铁性材料由于其丰富的物理内涵以及在微电子和多功能器件中的广阔应用前景,近年来已引起科研工作者的极大兴趣。在众多单相多铁性......
自从平面肖特基二极管产生以来,就受到了人们的高度关注。平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压,这些独特的性质......
当超大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者更小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会......
利用氧离子辅助电子束蒸发沉积Ta2O5薄膜,在dd定氧离子能量的条件下研究了氧离子束流密度对Ta2O5薄膜的微观结构、化学计量比和漏......
A Novel Investigation on Using Strain in Barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP Uncooled Multiple Quantum W
<正> In this study we investigate strain effect in barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP uncooled multiple quantum welllasers......
Sub-10-nm 体积 n-MOSFET (金属氧化物半导体地效果晶体管) 直接 source-to- 排水管通道水流密度使用 Wentzel- Krammers-Brilloui......
采用溶胶凝胶方法在Si(100)衬底上生长了SrBi2Ta2O9/LaNiO3(SBT/LNO)异质结薄膜,其中SrBi2Ta2O9薄膜呈高度(115)取向.测量了不同退火温度......
Effects of annealing temperature on microstructure and ferroelectric properties of Bi0.5(Na0.85K0.15
Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5TiO3(BNKT15) thin films were synthesized by metal-organic decomposition(MOD) at annealing temperatu......
将铌镁酸钡(Ba(Mg1/3Nb2/3)O3,BMN)作为缓冲层,通过溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT)铁电薄膜。探究BMN缓冲层......
采用直流磁控溅射方法在Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备RuO2/Pt复合电极,研究在复合电极上沉积的BST薄膜的微观结构及其对BST梯度薄膜电学性......
以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为表面活性剂,通过水热法对丙三醇氧钛(Gly-O-Ti)电流变颗粒进行表面改性。研究了SDBS对Gly-O-Ti电流变液性能......
利用直流磁控溅射技术在P型Si(100)衬底上制备了TiO_2薄膜,将制备好的TiO_2薄膜分别在700、800、900、1000、1100℃下空气中退火1 h.......
采用溶胶-凝胶方法制备出纯立方钙钛矿相、介电性能和漏电流特性良好的(Ba0.5Sr0.5)TiO3铁电薄膜. 研究发现,随着烧结温度的升高,(......
选用CeCl4和FeCl3等对自制的对苯撑进行掺杂, 将制得的高介电聚苯 撑粉末加入到硅油中得到电流变体流体, 测量了在电场作用下粘度......
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si(111)衬底上制备了Bi_(0.975)La_(0.025)Fe_(0.975)Ni_(0.025)O_3(BLFNO)铁电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力......
一种低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜(非晶硅碳氧氟薄膜)及其制备方法。现有该类产品介电常数较高、薄膜漏电流密度大、介电强度和电......
采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了单一钙钛矿结构的CaZrO3薄膜。研究了CaZrO3薄膜的介电性能和微观形貌,利用X射......
自从1947年晶体管发明以及1958年第一个集成电路诞生以来,以硅基集成电路为核心的微电子技术取得了飞速发展,传统热生长法生长的Si......
钛酸锶钡[Ba1-xSrxTiO3](BST)薄膜是目前凝聚态物理领域倍受关注的铁电材料。一方面,由于它具有优异的铁电、压电、介电和热释电性能......
在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O2薄膜,其相对介电常数为34.3......
采用磁控溅射法在覆釉95-Al2O3陶瓷基片上制备了BaO-Nd2O2-Sm2O3-TiO2(BNST)微波介质薄膜为介质的金属-绝缘体-金属结构电容器。原子......
用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)包裹由水玻璃、铝盐和羧酸形成的硅铝氧烷凝胶,制备的微囊复合材料用硅油调制成稳定的悬浮液,并测试了该......
采用溶胶-凝胶的方法在(001)取向的SrRuO3/SrTiO3(SRO/STO)异质结上制备了外延BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并以氧化铟锡(ITO)作为上电极构......
自从平面肖特基二极管产生以来,就受到了人们的高度关注。平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压,这些独特的性......
以联苯四酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚为单体原料使用气相沉积聚合(VDP)法制备了聚酰亚胺(PI)绝缘膜,分析不同热亚胺化处理温度对PI......
碳化硅(SiC)MOS(金属-氧化物-半导体)功率器件是SiC材料高压高功率应用的重要组成部分。当SiC达到其临界击穿电场3MV/cm时,根据高......