【摘 要】
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通过高温热聚合和化学气相沉积(CVD)方法相结合,合成了磷掺杂的石墨相氮化碳薄膜.首先通过高温热聚合的方法,在导电基底FTO 上生长了石墨相氮化碳薄膜,再将生长有氮化碳
【机 构】
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甘肃省生物电化学与环境分析重点实验室,西北师范大学化学化工学院甘肃兰州,730070
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通过高温热聚合和化学气相沉积(CVD)方法相结合,合成了磷掺杂的石墨相氮化碳薄膜.首先通过高温热聚合的方法,在导电基底FTO 上生长了石墨相氮化碳薄膜,再将生长有氮化碳薄膜的基底放置在管式炉中,并以次亚磷酸钠作为磷源在低温氮气保护下进行热处理就可以得到非金属磷元素掺杂的石墨相氮化碳薄膜(P-g-C3N4).g-C3N4 作为一种非金属有机半导体材料其禁带宽度Eg 约为2.7 eV,最大光吸收波长在460 nm,由于其对环境无毒无害,有较好的化学稳定性,所以受到了人们的青睐.
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