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双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究
双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究
来源 :第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lee6688
【摘 要】
:
报导了我们提出并由上海冶金所外延生长成功的双应变富In沟道In〈,0.4〉Al〈,0.6〉As/In〈,0.8〉Ga〈,0.2〉As/InP新结构及用该结构研制的PHEMT器件。
【作 者】
:
刘训春
钱鹤
【机 构】
:
科学院微电子中心
【出 处】
:
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
【发表日期】
:
1996年期
【关键词】
:
沟道
新结构
外延生长
冶金所
上海
器件
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报导了我们提出并由上海冶金所外延生长成功的双应变富In沟道In〈,0.4〉Al〈,0.6〉As/In〈,0.8〉Ga〈,0.2〉As/InP新结构及用该结构研制的PHEMT器件。
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