【摘 要】
：
以钛本丁酯和氯化钇为原料，采用溶胶－凝胶法研究了Y掺杂TiO光催化活性的影响，通过红外光谱(IR)分析了TiO复合粒子的结构，结果表明：Y掺杂能够显著提高TiO粒子的光催化活性，当掺杂比为100:1.5(Y外加1.5℅)时光催化活性最高，分析了Y掺杂TiO粒子光催化活性提高的原因。
论文部分内容阅读
以钛本丁酯和氯化钇为原料，采用溶胶－凝胶法研究了Y<3+>掺杂TiO<,2>光催化活性的影响，通过红外光谱(IR)分析了TiO<,2>复合粒子的结构，结果表明：Y<3+>掺杂能够显著提高TiO<,2>粒子的光催化活性，当掺杂比为100:1.5(Y<3+>外加1.5℅)时光催化活性最高，分析了Y<3+>掺杂TiO<,2>粒子光催化活性提高的原因。
其他文献
用透射电子显微镜研究了TiSiC材料中TiSiC与TiC的界面关系。结果表明TiC和TiSiC颗粒都可能生长在另一相中，TiSiC中的TiC颗粒与TiSiC没有明显的晶体学关系，而TiC中的TiSiC与TiC之间有晶体学关系。
该文采用超声波加工技术对SiC晶须增韧AlO陶瓷材料进行加工，研究了晶须的取向对加工机理、材料去除和加工表面质量的影响。结果表明：超声波加工晶须陶瓷材料时，材料去除率与晶须的取向有关。当以θ＝0°平面（θ为所研究平面与垂直于热压方向平面之间的夹角）作为加工面时，材料的去除率最大；而当以θ＝90°平面作为加工面时，材料的去除率最小。加工表面粗糙度的变化趋势与材料去除率的变化一致。进一步分析仪表明与晶
从TiC和TiSiC的晶体结构出发，分析了析出的TiC晶粒与TiSiC粒晶的位相匹配关系和析出行为，研究了TiC晶粒的析出对TiSiC材料力学性能的影响。研究发现，TiC在TiSiC的基面上析出，二者之间的界面分别为TiC和TiSiC中Ti原子的密排面，而且错配度较低。TiC相的析出会降低TiSiC材料硬度和韧性。
提出了关于TiSiC晶粒生长的模型。在TiSiC晶粒的生长中，TiSiC八面体可以作为一个独立的生长单元，TiC八面体的联接方式（如共同面、共棱、共顶）将会对TiSiC的生长形貌和生长行为产生很大的影响。
TiO是TiO材料中相对较稳定的晶型，是一种潜在的氧敏材料。与传统的TiO、ZRO材料相比，具有阻温特性好的优点。通过H还原TiO来制备TiO薄膜，主要研究了不同还原温度和保温时间对保温时间对薄膜晶相组成的。并对TiO薄膜的导电性、电阻－温度稳定性及在氧化气氛中的晶格稳定性作了初步分析。
采用Ti、Sn和石墨粉末为原料，利用固液相反应成功地制备出片状晶TiSnC粉末，实验结果表明，所制备出的TiSnC带有明显的取向性。应用X射线衍射及扫描电镜技术对TiSnC粉末相进行成分及形成貌分析和表征。
以Ti(OCH).SrCl.6HO为主要原料，采用溶胶－凝胶法制备了SrTiO和掺铁SrTiO薄膜。通过电镜和X衍射分析了薄膜的结构，并分析比较了烧成温度和掺杂对钛酸锶氧敏性能的影响。
SiO/C体系在氮气气氛下1573-1973K温度范围内反应所得的产物为α-SiNNαβ-SiO。高的反应温度、高升温速度以及原料碳的过量均有利于SiO的生成。反应过程可分为三个阶段、产物分别为SiO气体、SiN和SiC，表现活化能分别为470KJ/MOL，467KJ/mol，484KJ/mol，484KJ/mol。以非等温度热重分析为主要实验方法。对SiO/C体系在流动的氮气中的反应机理进行了研
采用湿法工艺、超声及高速搅拌均化技术，使SiC晶须在硅粉基料中均匀分散。制备的10volSiC晶须的热压反应结合氮化硅复合材料(10vol℅SiC/HPRBSN)，与不含晶须的基体材料相比，其断裂韧性提高50℅。对添加剂对硅粉实体氮化行为的影响以及SiC/HPRBSN陶瓷复合材料的机械性能进行了讨论。
利用Eshelby模型计算了碳化硅晶须补强氧化铝复合材料中的晶须含量材料中的晶须含量对残余应力的影响，与X-ray衍射测量的数据行比较，两者结果非常接近，随着昌须含量的增加，基体AlO中残余张应力增加，而碳化硅晶须中的残余应力降低。