【摘 要】
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本文对各种参数的深槽结构肖特基势垒二极管的反向I-V特性进行了计算机模拟,得出了优化的深槽结构.模拟结果显示,深槽结构能够大大提高肖特基势垒二极管的击穿电压,减小漏电
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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本文对各种参数的深槽结构肖特基势垒二极管的反向I-V特性进行了计算机模拟,得出了优化的深槽结构.模拟结果显示,深槽结构能够大大提高肖特基势垒二极管的击穿电压,减小漏电流.保护环结构的肖特基二极管的反向击穿电压仅为47V,而相应的深槽结构的反向击穿电压能达到82V,比保护环结构的击穿电压提高了差不多35V左右.
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