MBE of Dilute Nitride GaN(As)P-based Solar Cells

来源 :第十一届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ppaann850729
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Wide-bandgap solar cells are important for high-temperature operation, and they produce a higher output voltage, which provides advantages in some applications.Wide-bandgap semiconductors are also used as a top subcell in a high-efficiency multi-junction solar cell.GaP with a bandgap of 2.26 eV is a suitable candidate, but it has an indirect bandgap and,consequently, a low absorption coefficient.This disadvantage limits the power conversion efficiency of GaP to only a few percent even when thicker cells are employed.
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