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射频磁控溅射法制备BST薄膜
射频磁控溅射法制备BST薄膜
来源 :2005(第四届)中国纳米科技西安研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ztlzp
【摘 要】
:
本文应用平板式射频磁控溅射设备制备出了良好介电性能的BST纳米薄膜,系统地研究了溅射过程中不同氧分压对沉积薄膜的化学成份、结晶性的影响。
【作 者】
:
唐逸
杨春生
张丛春
【机 构】
:
上海交通大学微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030
【出 处】
:
2005(第四届)中国纳米科技西安研讨会
【发表日期】
:
2005年期
【关键词】
:
射频磁控溅射
法制
磁控溅射设备
纳米薄膜
介电性能
化学成份
沉积薄膜
氧分压
平板式
结晶性
应用
系统
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本文应用平板式射频磁控溅射设备制备出了良好介电性能的BST纳米薄膜,系统地研究了溅射过程中不同氧分压对沉积薄膜的化学成份、结晶性的影响。
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