【摘 要】
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铟锡氧化物(IndiumTinOxide,以下简称ITO)是锡掺杂氧化铟,它是一种n型半导体材料[1],它有许多不同方面的用途,例如电学、透明电极、太阳能电池、电致发光等,特别是铟锡纳米晶
【机 构】
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中南大学化学化工学院湖南,长沙,410083
【出 处】
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2005中国储能电池与动力电池及其关键材料学术研讨会
论文部分内容阅读
铟锡氧化物(IndiumTinOxide,以下简称ITO)是锡掺杂氧化铟,它是一种n型半导体材料[1],它有许多不同方面的用途,例如电学、透明电极、太阳能电池、电致发光等,特别是铟锡纳米晶体粉末在屏幕显示技术方面有广泛的应用[2,3].目前世界上的发达国家如日本、美国、法国等国将一半左右的铟用于制备ITO材料[4],因此研究ITO纳米粉体的制备具有重要意义.制备ITO粉体的方法有多种,如化学共沉淀法、溶胶-凝胶法、减压-挥发氧化法、熔体雾化-燃烧法和喷雾热分解法等[5,6].其中水热法是一种优秀的制备纳米晶体的湿化学方法,它在制备纳米氧化物方面应用广泛,已成功的在低温状态(＜250℃)下制备出了纳米级的ZnO、α-Fe2O3、ZrO2和TiO2等物质.之前采用水热法生成的产物为In(OH)3晶体和(In1-xSnx)OOH晶体[],由于在水热反应过程中获取的热动力不足,脱水不完全.因此可将水热反应生成的产物作为前驱体再在一定温度下进行煅烧,使之脱水完全生成ITO粉体.
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