【摘 要】
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该文研究了一价碱土金属离子Na或K掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响，应用HP4192A低频阻抗测试仪测量样品的C￣V特性曲线，并由此计算出表征样品晶粒边界电学性能参数。实验结果表
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该文研究了一价碱土金属离子Na或K掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响，应用HP4192A低频阻抗测试仪测量样品的C￣V特性曲线，并由此计算出表征样品晶粒边界电学性能参数。实验结果表明：ZnO压敏陶瓷掺入一价碱土金属离子，开始使压敏场强E降低，接着随着掺杂量的增加，E迅速增加，且很快超过未掺杂的数值，而晶界施主浓度N和势垒高度Х基本保持不变，界面态密度N和耗尽层宽度W则增加，从而使样品的漏电流减小，非线性系数增加。
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