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“摩尔定律”提出将近五十多年来，随着半导体器件工艺平面微缩化业已进入10纳米特征尺寸以下，逐步接近平面工艺的物理极限。为了进一步提高半导体存储器器件的集成度，减小单个器件的生产成本，需要突破传统二维工艺的界限，将存储器器件的制备向三维空间扩展，形成了一系列独特的三维器件结构。目前，以三维NAND快闪存储器为代表的三维存储器已经成为目前全球半导体集成电路产业发展的一个全新领域和技术热点。当然，一种新器件的产生必然对产业应用带来巨大变革，目前的研究工作正是为了因应一系列器件层面的独特效应，从系统与电路方面入手，充分利用其优势、克服或缓解其器件特性带来的诸多性能及可靠性问题，从而开发出真正具有市场竞争力的全新一代高密度存储产品。