低维结构材料由于表面效应和量子限制效应,其光电性质与块材相比会出现较大差异。由于半导体纳米材料的光电性质与尺寸、形貌密切相关,因此可以通过调控生长实现半导体器件的设计。通过对ZnS、CdS、SnO半导体材料的调控生长,得到了尺寸在几个纳米到几百纳米的一维、二维结构材料。通过对其微结构分析,在尺寸为几个纳米的ZnS纳米颗粒的材料中观察到位错,在直径为几个纳米的纳米棒中观察到孪晶、位错,以及沿一维生长方向的ZB/WZ纳米带超晶格。通过调控生长得到了宽度、形状可调的CdS一维结构材料,通过对其光电性质研究得到：折状的一维结构材料具有增强的Raman散射,进一步研究给出这种增强的Raman散射主要是由于电荷转移引起的Fr(o)hlich相互作用,而不是通过表面等离子增强的形变势所产生；纳米材料的激子能量存在形变和量子限制效应间的竞争。在低维结构材料的生长中极易导致氧空位、硫空位缺陷,以及表面态的存在,通过对形貌的调控,可以得到性能优良的光电材料。通过调控生长可以分别得到SnO,SnO/Sn3O4,SnO2纳米片自组装的空心微米球,比较它们的光电性质,发现Ⅱ-型半导体异质结SnO/Sn3O4组成的微米球由于界面处存在电荷转移,其光催化性能得到较大改善。