半导体器件低频噪声可靠性筛选方法探讨

来源 :中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第四届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xingli1314
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该文分析了半导体器件内低频噪声的形式及产生机理,指出半导体器件内闪烁噪声(1/f噪声)及产生—复合噪声(g-r噪声)与器件的表面和体内的缺陷 具有密切关系。因此理论上用半导体低频噪声来筛选不可靠器件是可能的。这种可靠性筛选新方法具有快速、简易、非破坏性的优点。该文通过大量试验证明这种方法的可行性及可能达到的效果。同时也指出要达到实用程序还必须进行大量的研究工作。(本刊录)
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