论文部分内容阅读
Si、Al、Si<,3>N<,4>加入量对Al<,2>O<,3>-SiC-C质浇注料性能的影响
【机 构】
:
冶金部洛阳耐火材料研究院
【出 处】
:
中国金属学会钢铁冶炼用优质新型耐火材料学术年会
【发表日期】
:
1993年期
其他文献
该文较为详尽地立新离硅单晶生长的工艺方法和发展动向,并指出CZ-Si在半导体工业中所具的重要地位,MCZ法是一种大有前途的方法,在今后一段较长的时期内MCZ-Si将与NTD-Sio并存。
该文通过介绍标准《产品质量特性的规格限确定方法通则》的基本内容,论述了该标准具有先进性、实用性和可行笥的特点,说明在社会主义市场经济条件下,贯彻实施该标准将对企业提高
该文在900—1200℃下,分别在空气自然对流、空气流量为20ml/min的条件下,对(111)单晶硅进行了等温氧化动力学研究并观察了氧化膜的形貌,提出了(111)单晶硅干氧氧化动力学满足化学反应
含氮CZ硅的电学性能完全有别于含氮的FZ硅和无氮的CZ硅,研究表明,含氮CZ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失。文章进一步研究了氮-新施主