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该文介绍了ＲＴＰ技术在多晶硅发射极超高速双极电路研制中的几个应用。其中包括ＲＴＰ技术一次形成０．１μｍ发射结深度、０．２μｍ集电结深度、０．１μｍ基区宽度；ＲＴＰ技术Ｅ、Ｂ、Ｃ钴硅化物自对准形成技术。与其它高速工艺技术配合，最后研制成硅静态２分频器的工作频率大于３ＧＨｚ，８分频器的工作频率大于２ＧＨｚ；５１２、２５６分频器工作频率达２．５ＧＨｚ；１９级环振门延迟为３３ｐｓ。