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在InP衬底上通过金属有机物化学汽相淀积(Metal organic chemical vapordeposition,MOCVD)的方法制成了能隙为0.6eV的In0.68Ga......
本文首次开展了平面型硅中子剂量探测器研究.研制了13种结构不同的平面二极管.通过辐射性能测试和数据分析,初步探索了平面型二极......
ＩＧＢＴ的关断特性和通态压降之间存在比较尖锐的矛盾，压降大关断特性好，关断特性好通态特性又差，这是设计和制造过程中要解决的主要问题之一......
该文对大功率电力半导体器件阻断电压、通态压降、门极电流的一致性与器件结构物理参数之产蝗关系进行了分析计算。计算结果表明，体......
随着市场对射频微波电路性能要求的不断提高,半导体器件的制作工艺受到射频微波工程师们广泛的关注,对于给定结构但实际上无法制作......
本文叙述了高电压大电流晶闸管几项主要参数的确定和采用深扩散技术研制电流容量为1000A、电压为2000V的晶闸管。......
根据双极晶体管集电区少子存储可以忽略，提出了存储时间必然和集电区少子寿命无关的论点，并给出了一种验证该论点的简单实验方法．......
讨论了半导体浪涌保护器件的基区宽度，着重分析了基区宽度与开通电压、静电电容、浪涌能力的关系，指出控制基区宽度，可有效地提高器件......
介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制......
一种用于低压,低功率工作最感兴趣的简单而新颖的单片互补双极型晶体管(简称CBT)结构已经研制出来。这些互补晶体管的特点是双隐埋......
为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体......
本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型，我们开发了绝缘栅......
本文介绍一种改进的高压横向PNP晶体管结构。用该结构制作的器件的HFE和阿莱电压同高质量分立元件的一样良好,而且在350V下保持fT......
本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了......
