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本文主要介绍了厚膜银导体上银离子迁移的试验方法、考核条件,通过试验发现,在660V/mm直流电场强度下,通过更换基片材料和介质材料,可有效抑制银离子的迁移,提高电路的可靠性,同时发现,在实际厚膜混合电路中,银离子迁移更多的是一种表面界面现象,与材料的表面界面性能关系密切。
厚膜银导体银离子迁移的试验设计
【摘 要】
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本文主要介绍了厚膜银导体上银离子迁移的试验方法、考核条件,通过试验发现,在660V/mm直流电场强度下,通过更换基片材料和介质材料,可有效抑制银离子的迁移,提高电路的可靠性
【机 构】
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华东微电子技术研究所,合肥 230022
【出 处】
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第十六届全国混合集成电路学术会议
【发表日期】
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2009年期
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