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会议论文
硅中氧的分凝系数研究
硅中氧的分凝系数研究
来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mmlovejj
【摘 要】
:
硅单晶中氧的浓度取决于其在溶体和晶体中的分凝。该文利用Fourier变换红外光谱仪研究了硅熔体中氧的分凝,实验指出氧的平衡分凝系数K〈,0〉小于1,为0.26,而不是通常认为的大于1。
【作 者】
:
田达晰
杨德仁
沈益军
张锦心
【机 构】
:
大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
:
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
硅中氧
变换红外光谱仪
平衡分凝系数
硅熔体
硅单晶
实验
溶体
浓度
晶体
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硅单晶中氧的浓度取决于其在溶体和晶体中的分凝。该文利用Fourier变换红外光谱仪研究了硅熔体中氧的分凝,实验指出氧的平衡分凝系数K〈,0〉小于1,为0.26,而不是通常认为的大于1。
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