衬底温度对微晶硅薄膜结构的影响及其稳定性研究

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本文采用VHF-PECVD 技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收(FTIR)对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果表明:随着衬底温度的升高,材料的微结构因子(R)逐渐增大,薄膜中氧含量也逐渐增加;同高衬底温度相比,低温(170℃)制备的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好。
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