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<正>1前言GaAs超高速集成电路,微波单片集成电路和光电集成是以直接离子注入工艺在SI—Ga As晶片上进行的,因此需要高度完整和均匀的半绝缘砷化镓材料。随着集成度的提高,目前国际上已经对SI—GaAs的微观完整性和均匀性提出越来越高的要求。近年来人们非常重视对SI—GaAs中砷沉淀的研究,SI—GaAs中砷沉淀与其微观均匀性有着密切的关系。为了提高SI—GaAs的质量,满足我国集成电路对优质SI—GaAs的需要。我们开展SI—GaAs中砷沉淀与微观均匀性关系的研究。