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本文利用自制高压单晶炉,采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了4英寸掺S低阻N型和掺Fe半绝缘InP单晶的生长技术.主要讨论了晶体生长过程中引晶、放肩、等径控制等因素对单晶生长的影响.
LEC法生长4英寸InP单晶的放肩技术研究
【摘 要】
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本文利用自制高压单晶炉,采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了4英寸掺S低阻N型和掺Fe半绝缘InP单晶的生长技术.主要讨论了晶体生长过程中引晶、放肩、等径控制等因素对单晶生
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所 专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
【出 处】
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2012年期
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