【摘 要】
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本文采用多尺度耦合计算方法模拟研究了微米长度(5,5)开口单壁碳纳米管阵列的发射情况。我们发现,当碳管间距小于碳管长度时,施加在管阵上的电场遭到严重屏蔽,最佳的碳管间距大概等于2~3倍的碳管长度,具体的数值则还跟外加电场有关。碳管间的这种屏蔽效应可以用一个屏蔽因子来描述,该屏蔽因子是碳管间距与碳管长度比值的指数衰减函数。我们的模拟结果表明,管阵的厚度应该大于某一数值,但是过度地增加厚度并不能显著地
【机 构】
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东莞理工学院电子系 中山大学理工学院
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会
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本文采用多尺度耦合计算方法模拟研究了微米长度(5,5)开口单壁碳纳米管阵列的发射情况。我们发现,当碳管间距小于碳管长度时,施加在管阵上的电场遭到严重屏蔽,最佳的碳管间距大概等于2~3倍的碳管长度,具体的数值则还跟外加电场有关。碳管间的这种屏蔽效应可以用一个屏蔽因子来描述,该屏蔽因子是碳管间距与碳管长度比值的指数衰减函数。我们的模拟结果表明,管阵的厚度应该大于某一数值,但是过度地增加厚度并不能显著地改善碳纳米管阵列的发射性能。
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