论文部分内容阅读
本文研究了Ⅴ/Ⅲ比对MOCVD生长InAs/GaAs量子点的影响。光致发光谱结果表明,随着Ⅴ/Ⅲ比的降低,InAs/GaAs量子点发光谱的双模形态更加明显,发光强度逐渐增强。这是由于AsH3流量的减小抑制了In的迁移,一方面降低了量子点的熟化程度,另一方面也限制了含缺陷大量子点的形成。