本文研究了Ⅴ/Ⅲ比对MOCVD生长InAs/GaAs量子点的影响。光致发光谱结果表明,随着Ⅴ/Ⅲ比的降低,InAs/GaAs量子点发光谱的双模......

利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点.经过退火之后进行的X射线衍射(XBD)实验表明了氧化锌......

本文利用AFM,PL谱等方法对InGaAs(0≤x≤0.5)自组织量子点的分子束外延生长及发光特性进行了系统研究,摸清了各种生长条件下量子点......

介绍了一种简单的方法实现了氧化镁包埋氧化锌量子点,并研究了包埋氧化镁中的氧化锌量子点的形成和光致发光特性.在样品制备过程中......

用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,以Stranski-Krastanow(S-K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs).用原子......