【摘 要】
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由于量子点结构以其独特的光电特性,在光电子器件的研究中具有广阔的应用前景,因此对半导体量子点结构的研究引起了们们广泛的关注.自组织InAs/GaAs量子点结构不仅在材料的制
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由于量子点结构以其独特的光电特性,在光电子器件的研究中具有广阔的应用前景,因此对半导体量子点结构的研究引起了们们广泛的关注.自组织InAs/GaAs量子点结构不仅在材料的制备了简便易行、而且在器件应用中也很有潜力.对InAs自组织量子点光学特性的研究将给其器件应用提供物理基础,这也是该论文工作立题的根本所在.研究了InAs自组织量子点结构光致发光独特的温度特性.研究人员巧妙地发展了粒子数相关混合技术,并用于测量InAs量子点发光的动力学特性及能态填充效应.对生长在GaAs(100)偏向ⅰ011ⅱ方向2°的邻晶补底上自组织InAs量子点结构的光致发光进行了研究.用选择激发和PLE方法研究了自组织InAs量子点结构中载流子的俘获和弛豫过程,发现当激发光能量低于GaAs带边时,在量子点发光峰的高能端出现另一个发光峰,具体的研究部分表明这个发光峰源于InAs浸润层中的局域态,并且具有二维特性.研究了生长停顿对低温、慢速率生长条件下自组织InAs量子点的发光和结构的影响,发现当InAs层厚度较薄时,生长停顿引起PL谱发光峰红移.当InAs较厚时(3ML)则为兰移,而在某一中间厚度时,生长停顿对样品的发光的影响很小.在对光谱结果研究的基础上,研究人员讨论了生长停顿对自组织InAs量子点结构造成的影响.
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