电场下方形量子线中的激子态

来源 :河北师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xxssdd55
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  本文采用变分法研究了外加电场下无限深方形量子线中重空穴激子的束缚能。文章用平面波展开的方法求解在电场作用下无限深方形量子线中电子和空穴的基态能和基态波函数及低激发态的能量和波函数,并用所得到的波函数进一步计算激子的基态及低激发态的束缚能,计算了激子的Stark能移。研究表明,外电场下,电子和空穴的基态能量降低,但激发态的能量要升高;对于基态激子,当阱宽不变时电场强度越大,激子的基态结合能就越小;加电场后,激子的第一第二激发态能级分别分裂成两支,第三激发态不发生分裂,它的结合能随电场的增大而增大;加电场后激子从激发态到基态的跃迁有的发生红移有的发生蓝移。
其他文献
表面界面动力学粗化生长现象与许多实际的生长过程有关。基于不同的连续性动力学方程和离散生长模型,在欧几里得空间的研究取得了很好的成果。而分形理论的发展使得人们开始关
颗粒物质普遍存在于自然界中,表现出丰富的物理学性质,既有固体的性质,同时又具有液体甚至气体的性质。再加上颗粒系统本身的离散性,孤波在一维颗粒链中传播有着丰富的内容和许多
氢化纳米晶硅(hydrogenated nanocrystalline silicon, nc-Si:H)薄膜是硅的纳米晶粒镶嵌在氢化非晶硅(hydrogenated amorphous silicon, a-Si:H)网络里的一种硅纳米结构材料
在1935年爱因斯坦等人提出EPR佯谬时,物理学家已注意到量子态的纠缠特性。随着量子信息论的发展和量子计算机的提出,量子纠缠己作为一种重要的资源应用于量子计算、量子信息和
本课题研究综合利用x射线衍射分析,差热分析,电子显微分析等方法,测定了Ce-Mg-Ni三元系合金在673K和1123K两个温度下富Ni角的等温截面相图,给出了各相之间的相关系.确认了CeMg2Ni
本文从独立原子模型和可加性规则成立的前提条件出发,考虑到分子的屏蔽效应和分子中原子间的相互重叠,提出了一个修正的可加性规则MAR(modifiedadditivityrule)。在目前的能量
为了研究高温超导材料,我们需要寻找一个电子模型,首先我们要寻找最简单的电子模型。很明显,单带最近邻Hubbard模型,也就是t-U模型和它的变形t-J模型,是晶格中能得到的相互作用模
近几年纤锌矿InN半导体已成为人们关注的课题之一,本文利用基于密度泛函理论的第一原理总能计算方法,采用超原胞模型,研究了InN(0001)和(000(-1))两个极性面的表面结构,并进一步
本文的主要内容就是在QCD因子化框架下,对纯湮灭过程-Bs→π+π-进行研究。湮灭图的振幅通常是被AQCD/mb压低的,所以在计算一个衰变过程时一般都不考虑湮灭图的贡献。然而最近
本文利用理想磁流体力学(MHD)模型对含有轴向流动的Z箍缩等离子体不稳定性进行了分析。文中对可压缩平板等离子体模型的色散关系进行了推导,讨论了三种不同情况的系统扰动增长