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ZnO作为一种N型宽带隙直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，有优异的压电、光电、压敏等特性，其原材料丰富且无毒，电导率和透过率高，具有和ITO相媲美的电学、光学性能。为了加快实现ZnO的产业化，应用到电池中以提高其效率和稳定性，本文主要研究利用金属有机化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备出作为陷光结构的绒面ZnO薄膜前电极和背反射电极，并应用于非晶硅薄膜太阳电池中。首先利用MOCVD技术沉积制备本征ZnO薄膜，分别研究了衬底温度、反应压力、源物质配比和厚度对薄膜的结晶状态、微观结构、电学和光学等物理性质及性能的影响。衬底温度对于薄膜的晶面取向生长尤为显著，严重影响ZnO薄膜的表面形貌，反应压力决定着薄膜的结晶质量，源物质配比影响着薄膜的电学稳定性，前电极和背电极对于厚度有不同的要求，不同厚度的薄膜呈现不同的表面形貌。实验结果表明，180℃的衬底温度、1.0Torr的反应压力、DEZn/H2O为100/55（sccm）时可生长出高质量的绒面本征ZnO薄膜。在本征的ZnO实验基础之上，继续研究了硼烷掺杂对ZnO薄膜的微观结构和学电学性能的影响。研究结果表明，适量的B掺杂可以有效地降低薄膜的电阻率，并有助于提高薄膜的电学稳定性。但B的掺入也会改变薄膜的生长特性，改变晶面生长的取向温度，展宽光学带隙。我们在160℃和180℃分别制得了质量良好的背电极和前电极ZnO：B薄膜。将ZnO：B替代ITO用于非晶硅薄膜太阳电池，作为窗口透明电极和减反、缓冲层，利用PECVD在玻璃衬底上制备非晶硅薄膜电池，该电池的开路电压Vos、短路电池Isc、转换效率(η)和填充因子(FF)分别为390mV、3.73mA、8.01%和0.446。