功率MOSFET器件在航空、航天等领域的电子学系统中，用作备用电源的功率开关、DC-DC电压变换器、信号发射机等多个部位的关键器件。但是功率MOSFET器件对单粒子效应却存在固有的薄弱性，单个高能粒子入射到功率MOSFET器件内部会引发单粒子烧毁（Single Event Burnout, SEB）和单粒子栅穿（Single Event Gate Rupture, SEGR）效应，一旦发生会导致器件永久失效，影响整个电子学系统的正常工作。开展功率MOSFET器件的单粒子效应研究具有重要意义。本文对三类功率MOSFET器件的SEB和SEGR效应机理进行了分析，利用ISE仿真软件对Trench MOSFET器件的SEB和SEGR效应开展了详细的三维数值模拟，研究了器件参数、重离子入射位置、LET值对SEB敏感性的影响，计算了栅氧化层中电场强度随重离子LET值的变化规律；采取限流电阻和脉冲电源相结合的保护方式建立了功率MOSFET器件SEB和SEGR效应的测试系统；针对VDMOS、LDMOS和Trench MOSFET三类三种不同结构及用途的功率器件，利用252Cf源开展了SEB和SEGR辐射效应研究试验，研究SEGR、SEB失效敏感性与器件结构的关系，器件失效截面与栅/漏偏置电压的关系；通过试验工作，总结了功率MOSFET器件SEB、SEGR效应试验方法，结合国内的单粒子效应试验平台情况，拟定了功率MOSFET器件SEB和SEGR效应试验规范。本文的研究工作为功率MOSFET器件SEB和SEGR效应试验和加固技术研究提供参考。