利用真空热蒸发法,以Sb₂Se₃粉末为蒸发源,在不同温度下沉积了不同厚度的Sb₂Se₃薄膜,测量分析了Sb₂Se₃薄膜的结构特性、微观形貌及光电特性,发现当沉积温度为290℃时,薄膜的择优取向为<221>晶向,此时薄膜对光的吸收能力强,导电性最好。采用喷涂热解法,以硝酸锌溶液为前驱体溶液,在不同沉积温度条件下制备了不同厚度的ZnO薄膜,测量分析了ZnO薄膜的结构特性、微观形貌和光学特性。当沉积温度为310℃时,制备的薄膜具有三个主要晶向,分别是<100>、<002>、<101>,而且晶粒尺寸较大,具有良好的光学特性。以FTO玻璃为衬底,以290℃下沉积的580nm厚的Sb₂Se₃薄膜作为光吸收层,以不同工艺条件制备的ZnO薄膜为缓冲层制作ZnO/Sb₂Se₃异质结薄膜太阳电池,探索ZnO薄膜的沉积温度和薄膜厚度对电池效率的影响。结果发现,当ZnO薄膜的沉积温度为310℃、厚度为130nm时制备的光电转换效率最高,η=0.71%。以FTO玻璃为衬底,在310℃制备130nm厚的ZnO薄膜作为缓冲层,以不同工艺条件制备的Sb₂Se₃薄膜作为光吸收层,制作了ZnO/Sb₂Se₃异质结薄膜太阳电池,探索Sb₂Se₃薄膜的沉积温度和薄膜厚度对电池光伏性能的影响。经过比较发现,以290℃下制备的580nm厚的Sb₂Se₃薄膜的作为吸收层时,可得到最佳的光电转换效率（0.76%）。