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随着半导体技术的发展和计算机技术的发展,通过电脑辅助设计来帮助完成半导体的生产,设计和研究,越来越成为一个重要的手段。本文通过Silvaco的TCAD(Technology Computer Aided Design)工具,利用TCAD内建的半导体器件制造工艺仿真模块和器件性能仿真模块,以及图形化的分析工具,对一个应用于的BCD( Biplor-CMOS-DMOS )工艺下的参考LDMOS ( Lateral Double-Diffused MOS,横向双重扩散场效应管)器件的源漏击穿电压的各结构及其尺寸,位置等制造参数在工艺仿真模块内进行调试和优化,在器件性能仿真模块内进行性能测试,并通过图形化器件参数分析软件分析其体内电场,以观察各种工艺变化对击穿电压的变化。本文完成过程中,作者通过TCAD软件的帮助,并在研究了各种最新的应用于LDMOS提高源漏击穿电压的结构参数和设计理论后,实现了在标准P型衬底和漂移区长度75微米之下,以不改变该器件原有可兼容于BCD工艺的最终参数和结构,将原器件的700V+的源漏击穿电压提高到了1200V以上的源漏击穿电压。着重探讨的部分为在不改变器件的工艺兼容性如衬底浓度,源漏掺杂浓度和扩散时间等情况下,运用Resurf理论(Reduced Surface Field,降低表面场)和Double Resurf理论,对源漏击穿电压主要的决定因素如外延层厚度,浓度,P-top(场限环)和场极板的结构等对击穿电压的影响进行的分析和探讨。本文同时展示了在TCAD内工艺仿真和器件仿真一个LDMOS的全过程。